檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "黃柏仁".ccommittee (精準) and year="99"
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本研究利用反應式磁控濺鍍(Magnetron sputtering)系統配合高真空下的熱退火製程，成功製備出含有不同氮、氧濃度之氮氧化矽(SiOxNy)單層薄膜以及氮氧化矽/矽(SiON/Si)之多…
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本論文以濺鍍及共濺鍍沉積的方式製作Cu/Cu-SiO2/TaN，TaN/Cu-SiO2/TaN三層結構，經由電性量測結果可知上述兩種元件皆有電阻切換的性質。電極材料皆為TaN的元件在連續操作100次…
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隨者電子產業的進步，傳統型金氧半電晶體在微型化之後面臨一些可靠度問題，例如短通道效應、熱載子效應、閘極引起位障降低效應。穿隧型場效電晶體在高度微型化可以提供較小的短通道效應、小的熱載子效應以及降低閘…
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本實驗為利用射頻磁控濺鍍法沉積鋅薄膜，藉由調變射頻功率及靶材至基板的距離可控制鋅薄膜的結晶及表面型貌。實驗結果顯示多晶鋅薄膜在經450 ℃熱氧化可成長較多垂直於基板的氧化鋅奈米線，其平均長度約為4 …
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為改善氮化鎵發光二極體(GaN Light-Emitting Diode)的電流分佈，以得到高發光效率的元件，一直以來都被視為研究重點。如使用藍寶石基板(Sapphire)作為發光二極體元件基板，因…
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氮化鎵材料系統被廣泛的應用於高功率發光二極體。其中很重要的一部分在於透明導電層的製作。ITO (Indium-tin-oxide)是廣泛被使用的材料之一，應用於氮化鎵系統的材料之中，卻出現了嚴重的問…
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本研究是採用射頻磁控濺鍍法於康寧玻璃型號1737 基板沉積微晶矽鍺薄膜，使用的靶材為鍺錠貼附於矽靶上並控制鍺元素原子比20 % 來共鍍沉積，在沉積過程中加熱基板至150oC，並控制不同的氫氣與氬氣的…
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本實驗以熱氧化法成長出摻鈷的氧化鋅奈米線結構，以磁控濺鍍法先沉積純鋅膜與摻鈷的鋅薄膜兩種，實驗結果發現純鋅膜經熱氧化後會形成奈米針結構，而有摻雜鈷的鋅膜在熱氧化後會轉變為奈米線結構，其結構上受到摻雜…